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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
5,987.5
17.4
写入速度,GB/s
2,160.7
13.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3049
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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