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Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
比较
Mushkin 991586 2GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
总分
Mushkin 991586 2GB
总分
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991586 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
46
读取速度,GB/s
13.8
11.6
写入速度,GB/s
7.9
9.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2156
2571
Mushkin 991586 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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