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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
65
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
65
读取速度,GB/s
7.7
16.4
写入速度,GB/s
5.0
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
2041
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较
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Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO 5641160 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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