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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
7.7
17.1
写入速度,GB/s
5.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3350
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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