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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965604-027.D00G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.8
10.5
写入速度,GB/s
8.4
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2262
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB RAM的比较
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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