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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
63
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
35
读取速度,GB/s
7.7
17.2
写入速度,GB/s
5.0
16.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3225
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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