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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
7.7
18.4
写入速度,GB/s
5.0
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3500
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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