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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
7.7
18.6
写入速度,GB/s
5.0
15.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3561
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
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