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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
63
左右 -186% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
22
读取速度,GB/s
7.7
17.3
写入速度,GB/s
5.0
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3114
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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