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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Kingston 9905622-024.A00G 4GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
差异
规格
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
63
左右 -152% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
25
读取速度,GB/s
7.7
14.8
写入速度,GB/s
5.0
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
2305
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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