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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
10.1
16.6
写入速度,GB/s
7.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2893
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
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