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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
63
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
41
读取速度,GB/s
7.7
12.8
写入速度,GB/s
5.0
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
2238
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
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