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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
10.4
15.3
写入速度,GB/s
7.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2737
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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