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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
63
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.9
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
30
读取速度,GB/s
7.7
11.8
写入速度,GB/s
5.0
5.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
1984
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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