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Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
比较
Mushkin 991988 (996988) 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
总分
Mushkin 991988 (996988) 4GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991988 (996988) 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
14.0
13.7
写入速度,GB/s
8.9
11.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
2967
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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