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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
总分
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.3
18.5
写入速度,GB/s
8.2
15.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1982
3676
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
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