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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
总分
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
24.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.9
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
13.3
24.7
写入速度,GB/s
8.2
19.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1982
4174
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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Corsair CMX16GX3M4A1333C9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
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