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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
比较
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
总分
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
13.3
13.9
写入速度,GB/s
8.2
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1982
2504
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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