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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
比较
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
总分
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.3
11.0
写入速度,GB/s
7.1
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1952
2622
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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