RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2622
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link