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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
37
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
19
读取速度,GB/s
13.9
17.3
写入速度,GB/s
8.6
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2845
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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