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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.9
14.0
写入速度,GB/s
8.6
8.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2345
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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