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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
13.9
19.5
写入速度,GB/s
8.6
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3718
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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