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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
8.6
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3537
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
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