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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
14.4
写入速度,GB/s
870.4
6.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2181
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
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