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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
15.6
写入速度,GB/s
8.6
11.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2941
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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