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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
14.4
写入速度,GB/s
8.6
8.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2511
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB RAM的比较
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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