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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
13.9
17.9
写入速度,GB/s
8.6
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3460
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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