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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
13.9
16.9
写入速度,GB/s
8.6
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3139
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
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