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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
13.9
15.5
写入速度,GB/s
8.6
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2685
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
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