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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

总分
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 37
    左右 -12% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.5 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.6 left arrow 8.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 13.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2395 left arrow 3367

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较

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Maxsun MSD48G30Q3 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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SK Hynix HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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