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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
差异
规格
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
13.9
16.3
写入速度,GB/s
8.6
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2850
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
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