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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
14.0
11.1
写入速度,GB/s
9.0
9.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2449
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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