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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9965589-043.E00G 16GB

总分
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

总分
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Kingston 9965589-043.E00G 16GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston 9965589-043.E00G 16GB 需要考虑的原因
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 48
    左右 -41% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 8.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 5.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    48 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    8.9 left arrow 10.1
  • 写入速度，GB/s
    5.9 left arrow 8.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1420 left arrow 2265

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB RAM的比较

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
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内存RAM
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Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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