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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
18.2
写入速度,GB/s
8.6
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3389
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
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