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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
13.9
17.9
写入速度,GB/s
8.6
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3514
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
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