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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
37
左右 -106% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
18
读取速度,GB/s
13.9
20.9
写入速度,GB/s
8.6
17.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3668
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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