RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
37
Intorno -106% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
18
Velocità di lettura, GB/s
13.9
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3668
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link