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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
13.9
17.4
写入速度,GB/s
8.6
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3049
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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