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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9905598-019.A00G 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.9
14.2
写入速度,GB/s
8.6
7.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2368
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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