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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9905599-025.A00G 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
差异
规格
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
13.9
14.5
写入速度,GB/s
8.6
9.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2472
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
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