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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9905678-029.A00G 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
13.9
12.6
写入速度,GB/s
8.6
6.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2068
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
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Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
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