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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9965589-008.D01G 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
13.9
10.0
写入速度,GB/s
8.6
7.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2037
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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