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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
13.9
15.3
写入速度,GB/s
8.6
11.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2697
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
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