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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
57
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
57
读取速度,GB/s
13.9
15.1
写入速度,GB/s
8.6
10.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2276
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
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