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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
47
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
21
读取速度,GB/s
10.4
16.2
写入速度,GB/s
7.8
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2337
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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