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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
13.9
13.7
写入速度,GB/s
8.6
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2504
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KHX16 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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