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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
13.9
15.6
写入速度,GB/s
8.6
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2468
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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