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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
37
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
19
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
8.6
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
3626
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
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