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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.9
15.2
写入速度,GB/s
8.6
8.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2430
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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